Výrobca Číslo produktu:
TSM2NB60CP ROG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM2NB60CP ROG-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
4945 Ks Nové Originálne Na Sklade
12900117
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM2NB60CP ROG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
249 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
44W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TSM2NB60CP ROGCT
TSM2NB60CP ROGCT-DG
TSM2NB60CP ROGTR-DG
TSM2NB60CP ROGDKR
TSM2NB60CPROGCT
TSM2NB60CP ROGDKR-DG
TSM2NB60CP ROGTR
TSM2NB60CPROGTR
TSM2NB60CPROGDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMS3014SFG-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
DMN3115UDM-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
DMT3003LFG-13
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
